美光推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存 速率高達(dá)7,200MT/s

10月20日消息，Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的1β（1-beta）制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb容量版本的 DDR5內(nèi)存。美光1β DDR5 DRAM在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達(dá)7,200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及PC市場(chǎng)的所有客戶出貨?；?β節(jié)點(diǎn)的美光DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達(dá)50%，每瓦性能提升33%。

隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加以滿足數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載需求，系統(tǒng)對(duì)更高的內(nèi)存帶寬與容量的需求也顯著增長(zhǎng)，從而在應(yīng)對(duì)“內(nèi)存墻”挑戰(zhàn)的同時(shí)優(yōu)化客戶的總體擁有成本。美光1β DDR5 DRAM支持計(jì)算能力向更高的性能擴(kuò)展，能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺(tái)上的人工智能（AI）訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)（IMDB）等應(yīng)用。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品線提供速率從4,800 MT/s到7,200 MT/s的現(xiàn)有模塊密度，能夠滿足數(shù)據(jù)中心和客戶端的應(yīng)用需求。

美光核心計(jì)算設(shè)計(jì)工程部門(mén)企業(yè)副總裁Brian Callaway表示：“面向客戶端和數(shù)據(jù)中心平臺(tái)的1β DDR5 DRAM量產(chǎn)及出貨，標(biāo)志著行業(yè)的一個(gè)重要里程碑。我們與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及客戶緊密合作，將推動(dòng)高性能內(nèi)存產(chǎn)品的市場(chǎng)普及?！?/p>

美光的1β技術(shù)已應(yīng)用至公司廣泛的內(nèi)存解決方案，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM；采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X；HBM3E和GDDR7。全新的美光16Gb DDR5內(nèi)存將通過(guò)直銷(xiāo)及渠道合作伙伴供貨。

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