前面我們探討過量子計(jì)算光明而遙遠(yuǎn)的未來,回歸現(xiàn)實(shí)之中,我們還是只能依靠經(jīng)典計(jì)算來解決當(dāng)下的計(jì)算需求。
所以,科學(xué)家們也在努力給摩爾定律續(xù)命。其中一項(xiàng)極為關(guān)鍵的技術(shù),就是——EUV極紫外光刻。
過去一兩年的時(shí)間里,EUV沒少在產(chǎn)業(yè)中刷存在感。三星、臺(tái)積電、英特爾等都在爭先恐后地將EUV投入芯片量產(chǎn),中芯國際斥資1.2億美元買入EUV光刻機(jī)成了大新聞,日本對(duì)韓國的半導(dǎo)體禁令中,EUV光刻膠更是被關(guān)注的焦點(diǎn)……
這項(xiàng)技術(shù)憑什么被稱為摩爾定律的救星,又是否來到了最好的應(yīng)用節(jié)點(diǎn)呢?
EUV登場(chǎng):為摩爾定律再續(xù)一秒
計(jì)算能力看芯片,芯片性能看光刻,那光刻技術(shù)看什么,在眾多工藝中,大多數(shù)產(chǎn)業(yè)人士給出的答案,就是EUV。
所謂EUV,指的是波長13.5nm 的極紫外光,相比于當(dāng)前主流光刻機(jī)用的193nm光源,EUV的光源只有十五分之一,能夠在硅片上刻下更小的溝道。
業(yè)內(nèi)形容EUV的細(xì)致程度,就好像從地球上發(fā)出的手電筒光線,精準(zhǔn)地照射到一枚月球上的硬幣一樣。這么嚴(yán)苛的工藝要求,真的有必要嗎?
(EUV光刻與ARF光刻的顯影效果對(duì)比)
我們知道,IC芯片的制造就像是用樂高積木蓋房子,借由一層又一層的堆疊,搭建出一個(gè)復(fù)雜的“立體結(jié)構(gòu)”。如果把芯片放到顯微鏡下,會(huì)看到一個(gè)和超級(jí)城市一樣豐富的細(xì)節(jié):高達(dá)七八層的馬路,分布著幾百萬座建筑物,幾億扇門窗一秒鐘要開關(guān)上億次,每一次都必須準(zhǔn)確無誤……
這個(gè)復(fù)雜的建構(gòu)過程,在很長一段時(shí)間,都是由193nm的光源來完成的,但移動(dòng)智能的高速發(fā)展,要求不斷在更小的芯片上集成更多的晶體管,自然就要尋找更高精度的工具,EUV也就順其自然地登場(chǎng)了。
比如使用了臺(tái)積電7nm+ EUV工藝制程的麒麟990,就得以在芯片面積基本不變的前提下,晶體管數(shù)量從69億暴漲到103億,也因此成為目前業(yè)界最小的5G手機(jī)芯片。
當(dāng)然,大家都知道摩爾定律并不只是性能的提升,另一個(gè)限制是成本的降低。所以,“規(guī)則救星”還必須擔(dān)負(fù)起省錢的重任。EUV恰好符合這個(gè)要求。
光刻機(jī)的工作過程中,必不可少的就是曝光。簡單來說就是用光線照射硅片,讓未受掩模遮擋部分的光刻膠發(fā)生曝光反應(yīng),這樣才能將石英掩模上的電路圖顯影到硅片上,以便后續(xù)進(jìn)行刻蝕、去膠等一系列工序。
而要生產(chǎn)7nm甚至5nm的芯片時(shí),以往采用的ArFi LE4 Patterning或是ArFi SAQP往往需要4次甚至更多的曝光才能完成。而EUV只需要1個(gè)光罩、1次曝光就搞定了,可以直接降低大批量生產(chǎn)的成本。
換句話說,EUV不僅刻錄精度更高,也會(huì)讓芯片的價(jià)格更便宜,無怪乎會(huì)被看做是唯一可行的拯救摩爾定律的方法了。
目前,一些主要的芯片代工廠如臺(tái)積電、三星也都開始在其大批量生產(chǎn)線中使用EUVL來處理邏輯7nm的芯片。這是否說明,我們很快就可以憑借EUV迎來5nm、3nm制程的新時(shí)代呢?事情顯然沒有那么簡單。
山高水遠(yuǎn),道阻且長:EUV的打怪升級(jí)之路
看來,經(jīng)典計(jì)算機(jī)最后的尊嚴(yán)既要靠EUV來捍衛(wèi)了。不過,能否在現(xiàn)實(shí)中真正規(guī)?;瘧?yīng)用,才決定了其是否真的能改變摩爾定律的命運(yùn)。目前,行業(yè)內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)EUV芯片穩(wěn)定量產(chǎn)的并不多。
比如前不久三星的EUV工藝就翻車了,采用7nm LPP EUV制程工藝生產(chǎn)的三星9825芯片能效不升反降。
目前看來,EUV的應(yīng)用限制主要集中在三方面:
首先就是一些尚待解決的技術(shù)問題。
比如EUV設(shè)備必須在超潔凈環(huán)境中運(yùn)行,如果有一點(diǎn)灰塵掉到光罩上,都會(huì)帶來直接的生產(chǎn)良率問題。但EUV所用的光罩和傳統(tǒng)193nm光刻的光罩完全不同。目前EUV的光照良率僅為64.3%,而主流光照的良率則高達(dá)94.8%,想要提升EUV芯片的成品率,材料技術(shù)、流程控制、缺陷檢驗(yàn)等都是需要攻克的問題。
即使在技術(shù)上達(dá)到要求,缺乏足夠吸引力的收益率,也很難讓客戶產(chǎn)生遷移到新技術(shù)的動(dòng)力。而目前看來,采用EUV技術(shù)的生產(chǎn)成本也十分高昂。
一方面,最新的EUV機(jī)器價(jià)格往往超過1億歐元,是常規(guī)193nm 光刻機(jī)價(jià)格的二倍多;就算采購?fù)瓿?,還需要多臺(tái)747飛機(jī)來運(yùn)輸整個(gè)系統(tǒng)。由于功率極高,EUV設(shè)備生產(chǎn)時(shí)消耗的電力也遠(yuǎn)超現(xiàn)有機(jī)器。而且,即使使用EUV光刻機(jī),7nm、5nm制式的生產(chǎn)也需要在一些關(guān)鍵復(fù)雜的圖層中使用雙重圖形甚至多重圖形曝光,才能減少缺陷的數(shù)量,無形中又進(jìn)一步增加了成本。
除此之外,EUV也對(duì)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈上的人員提出了巨大的要求。比如光子擊中抗蝕劑并引起反應(yīng),每次的響應(yīng)都可能不同,這就會(huì)導(dǎo)致芯片隨機(jī)出現(xiàn)缺陷,要控制它比傳統(tǒng)光刻機(jī)更加困難,工程師們也需要一定時(shí)間的磨合才行。
所以說,雖然目前英特爾、臺(tái)積電、三星和GF等都在積極準(zhǔn)備7nm工藝,但要成功用上EUV顯然還是一件比較小眾的成就,手持藏寶圖的探索者依然鳳毛麟角。
打破算力天花板:EUV到底改變了什么?
雖說EUV距離全面走進(jìn)產(chǎn)業(yè)端還有一段路要走,但這并不妨礙我們以它為坐標(biāo)系來重新構(gòu)想計(jì)算的未來。
首先,在5nm、3nm等節(jié)點(diǎn)上啟用EUV技術(shù)已經(jīng)是必備之選。率先度過與應(yīng)用的磨合期,就意味著能在AI+5G背景下占據(jù)行業(yè)高點(diǎn),并將馬太效應(yīng)持續(xù)放大。比如臺(tái)積電就憑借率先實(shí)現(xiàn)7nm工藝而獲得了大量的訂單,并借此分?jǐn)偭司揞~的研發(fā)費(fèi)用與投入。在技術(shù)地域化的當(dāng)下,中國芯片廠商能否抓住這個(gè)新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)崛起,EUV就是戰(zhàn)略性的一步。
如果我們將移動(dòng)智能看做一場(chǎng)未來之戰(zhàn),那么拿到最強(qiáng)悍的武器還不夠,如何應(yīng)用才能發(fā)揮最大的效率,只有在實(shí)戰(zhàn)中不斷地積累經(jīng)驗(yàn)才能真正修煉好頂級(jí)武功。從這個(gè)角度看,EUV也正在重新劃定手機(jī)廠商的起跑線。
比如三星7nm EUV工藝出現(xiàn)延遲,就直接導(dǎo)致高通5G芯片無法如期供貨,對(duì)眾多依賴供應(yīng)鏈的手機(jī)廠商造成連環(huán)反應(yīng),而率先推出并搭載了5G SoC芯片的華為Mate30,則得以憑借在CPU與GPU性能上的巨大差距,率先開啟5G商用場(chǎng)景的功能探索,讓用戶開始品嘗技術(shù)的甘甜。
而具體到用戶端,EUV技術(shù)作為計(jì)算能力的基本保障,也可以起到對(duì)智能硬件的直接推動(dòng)作用。
我們知道,今天要在移動(dòng)終端上完成高性能的AI識(shí)別、推理等任務(wù),受限于芯片的體積與處理能力,往往需要上傳到云端來完成。這一方面限制了許多應(yīng)用普及的可能性,比如VR、高精度視頻等等;同時(shí)也容易因?yàn)樵频蕉说倪^程,導(dǎo)致隱私泄露、數(shù)據(jù)延遲等一系列隱患。想要打開人工智能在終端的想象力與商業(yè)價(jià)值,EUV對(duì)芯片能效的直接升級(jí),將是量子計(jì)算到來之前,一切故事的前提。
如果說智能社會(huì)將是一片海量智能設(shè)備與應(yīng)用構(gòu)筑的夢(mèng)幻花園,那么EUV技術(shù)則是澆筑出堅(jiān)固磚石的基礎(chǔ)。所以,盡管突破摩爾定律天花板這個(gè)任務(wù)任重道遠(yuǎn),卻是一條必須通關(guān)的重要道路。
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