現(xiàn)在的手機(jī)承載了越來(lái)越多的功能，已經(jīng)成為了具備多傳感器的平臺(tái)。
如今出門(mén)你可以不帶錢(qián)包、但一定要帶上手機(jī)。從手機(jī)的發(fā)展歷程來(lái)看，不只是像之前2G時(shí)代簡(jiǎn)單地用于通話(huà)，做一些信息的傳輸;到3G時(shí)代增加了一些交互的功能，有了一些簡(jiǎn)單的游戲;到了4G時(shí)代給我們的生活帶來(lái)了更多的便利，讓我們的交互變得更為流暢，更為友好，更為實(shí)時(shí)通訊。未來(lái)，5G技術(shù)的引入和深化應(yīng)用，也將帶給人們前所未有的移動(dòng)端體驗(yàn)。
近日，西部數(shù)據(jù)全新發(fā)布了針對(duì)5G移動(dòng)手機(jī)的移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案——西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，作為西部數(shù)據(jù)旗下第二代UFS 3.1存儲(chǔ)解決方案，旨在為消費(fèi)者提供了超高分辨率相機(jī)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)、游戲和8K視頻等新興應(yīng)用所需的高性能存儲(chǔ)。
西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件
在發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷(xiāo)售總監(jiān)文芳和西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理宋學(xué)紅對(duì)這款全新的產(chǎn)品進(jìn)行了詳細(xì)的分享和介紹。據(jù)文芳介紹，就目前的5G速率而言，大概會(huì)在1GB/s的傳輸速度。未來(lái)市場(chǎng)分析，到2024年5G的速度大概會(huì)達(dá)到2GB/s的。在WiFi上，目前是WiFi6/6E的標(biāo)準(zhǔn)，在2024年大概會(huì)到WiFi 7的標(biāo)準(zhǔn)，整體的速率都會(huì)接近2GB/s。
右為西部數(shù)據(jù)中國(guó)區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷(xiāo)售總監(jiān)文芳;左為西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理宋學(xué)紅
“如果傳輸?shù)乃俣仍絹?lái)越高，勢(shì)必是要對(duì)手機(jī)的應(yīng)用提出更多要求。如果單單只有高速率，但是產(chǎn)品做不到這么高速率的交互，那也是沒(méi)有意義的。所以，為什么現(xiàn)在推進(jìn)手機(jī)的革新，不管是針對(duì)芯片上的處理器還是我們的存儲(chǔ)器，大家都對(duì)它提出了更高的要求，每一家公司也都積極地在配合速率的提高給客戶(hù)帶來(lái)更好的使用體驗(yàn)。”
文芳表示，在順序?qū)懭敕矫?，現(xiàn)在用戶(hù)應(yīng)用大概用不到1GB/s，但西部數(shù)據(jù)最新的產(chǎn)品已經(jīng)到了2GB/s。“為什么我們把速率放到這么高，其實(shí)我們做了很大的冗余，來(lái)支持隨后5G更快地發(fā)展。到2024年，5G技術(shù)真的跑到2GB的時(shí)候，確保我們的產(chǎn)品還是適用于當(dāng)下的產(chǎn)品應(yīng)用。”
從存儲(chǔ)性能來(lái)看，相比前一代產(chǎn)品，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件有了更多的改進(jìn)和性能上的提升。據(jù)文芳介紹，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的速度更快、延時(shí)更短、容量最高可達(dá)512GB。該產(chǎn)品旨在滿(mǎn)足JEDEC UFS 3.1規(guī)范要求，并采用基于西部數(shù)據(jù)第七代SmartSLC的領(lǐng)先的Write Booster 技術(shù)。產(chǎn)品還支持Host Performance Booster 2.0版本，進(jìn)一步融合了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的全新進(jìn)展。
從具體的讀寫(xiě)性能來(lái)看，主要有以下幾個(gè)提升：
隨機(jī)讀取性能提升約100%，隨機(jī)寫(xiě)入性能提升約40%，有助于支持混合工作負(fù)載體驗(yàn)，例如同時(shí)運(yùn)行多個(gè)應(yīng)用。
順序?qū)懭胄阅芴嵘s90%，有助于達(dá)到新的5G和Wi-Fi 6的下載速度，讓用戶(hù)在下載8K視頻等富媒體文件時(shí)擁有更卓越的體驗(yàn)，并提高連拍模式等應(yīng)用的性能。
順序讀取性能提升約30%，通過(guò)縮短啟動(dòng)時(shí)間以更快啟動(dòng)應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)更快的上傳速度。
西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理宋學(xué)紅解釋道，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產(chǎn)品性能提升主要得益于三個(gè)方面，一個(gè)是NAND array上面的提升，讓讀寫(xiě)速率變得更高，另一個(gè)對(duì)于NAND介質(zhì)上外圍電路做了優(yōu)化，第三是采用了西部數(shù)據(jù)自研的主控，包括制程、速度和內(nèi)部的RAM很多的設(shè)計(jì)，使這個(gè)產(chǎn)品都做了統(tǒng)一的提升。
總結(jié)來(lái)說(shuō)，這款西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產(chǎn)品在性能方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，還配備UFS 3.1接口，容量涵蓋了從128GB到512GB，11.5×13毫米的封裝能夠順應(yīng)現(xiàn)在大多手機(jī)客戶(hù)對(duì)封裝的要求。
宋學(xué)紅繼續(xù)介紹道，這款產(chǎn)品還強(qiáng)化了西部數(shù)據(jù)的健康報(bào)告功能，可以幫助客戶(hù)在現(xiàn)場(chǎng)排除一些設(shè)備的問(wèn)題，包括產(chǎn)品出廠以后，在客戶(hù)端其實(shí)客戶(hù)們也可以看到我們存儲(chǔ)器磨損的情況，來(lái)做到及時(shí)管理。在工作溫度范圍上，這款產(chǎn)品是-25度到85度，可以應(yīng)用于各種嚴(yán)苛的環(huán)境的。同時(shí)，這款產(chǎn)品是在雙電壓的環(huán)境下運(yùn)行的，核心電壓是在2.4V到2.7V，還有個(gè)I/O電壓在1.14V到1.26V運(yùn)作。同時(shí)還有個(gè)熱保護(hù)的功能，在器件過(guò)熱的時(shí)候數(shù)據(jù)會(huì)在安全模式下運(yùn)行，這樣的話(huà)可以保證用戶(hù)數(shù)據(jù)財(cái)產(chǎn)的安全。
“西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件還有HPB 2.0的一個(gè)主機(jī)性能加速器，跟主機(jī)有很強(qiáng)的配合的，首先是要求主機(jī)能支持這個(gè)功能，這塊我們?cè)趯?xiě)入一些地址時(shí)以便于它更快地對(duì)芯片進(jìn)行操作。”
西部數(shù)據(jù)全新推出的高性能移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，離不開(kāi)其在閃存領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。據(jù)介紹，在閃存領(lǐng)域，西部數(shù)據(jù)不僅擁有產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，還攜手業(yè)界合作伙伴鎧俠不斷實(shí)現(xiàn)突破創(chuàng)新。
今年，西部數(shù)據(jù)也聯(lián)合鎧俠推出了第六代162層3D NAND閃存技術(shù)，與上一代產(chǎn)品相比，程序性能可提高近 2.4 倍，讀取延遲減少約 10%，I/O 性能也提高了約 66%，使得下一代接口能夠滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的對(duì)更高傳輸速率的需求。新的 3D 閃存技術(shù)降低了單位成本，并使每個(gè)晶圓的制造位增加了高達(dá) 70%。西部數(shù)據(jù)與鎧俠將持續(xù)推動(dòng)創(chuàng)新，以確保實(shí)現(xiàn)持續(xù)擴(kuò)展，從而滿(mǎn)足用戶(hù)及其多樣化應(yīng)用的需求。
未來(lái)，西部數(shù)據(jù)的領(lǐng)先閃存技術(shù)將進(jìn)一步應(yīng)用到更廣泛的領(lǐng)域，例如VR，汽車(chē)等等，以全新的閃存技術(shù)賦能未來(lái)5G時(shí)代下各行各業(yè)的蓬勃發(fā)展。
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