本文由博眾投資編輯整理。能源技術革命向材料領域滲透，第三代半導體助力碳達峰、碳中和的實現(xiàn)。加快實現(xiàn)能源開發(fā)清潔替代和能源消費電能替代，逐漸提高清潔能源占電能生產(chǎn)的比重以及電能在能源消費中的占比，是實現(xiàn)“碳達峰，碳中和”目標的關鍵。第三代半導體材料憑借其能量損失小、高壓環(huán)境下高可靠性的優(yōu)點，可以實現(xiàn)光伏、風電、新能源汽車、工控、消費電源等領域的電能高效轉(zhuǎn)換，有望成為綠色能源經(jīng)濟的支柱。新能源汽車、充電樁等將驅(qū)動SiC市場快速增長。為更好地滿足使用者需求，電動汽車將持續(xù)向更長的行駛里程、更快的充電速度、更大的電池容量發(fā)展。隨著電動汽車市場的擴大以及其他系統(tǒng)的更新?lián)Q代，SiC功率半導體將更多地在車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器等方面應用，帶來SiC市場的激增。據(jù)Yole數(shù)據(jù)及預測，SiC市場規(guī)模為5.4億美元，預計將于2025年達到25.6億美元，CAGR達到30.3%。其中，在新能源汽車及充電樁領域SiC2019年市場規(guī)模為2.3億美元，預計將于2025年達到17.8億美元，CAGR達到41.6%。(博眾投資)
博眾投資認為第三代半導體主要受三大核心因素驅(qū)動：
1)下游應用迭起，第三代半導體因物理性能優(yōu)異競爭力極強
2)能源安全需求迫在眉睫，第三代半導體助力“碳達峰、碳中和”目標的實現(xiàn)
3)后摩爾時代來臨，第三代半導體為代表的核心材料是芯片性能的提升的基石第三代半導體一般指禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料，也稱為寬禁帶半導體材料。半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段，第一代半導體材料以硅為代表;第二代半導體材料砷化鎵也已經(jīng)廣泛應用;而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為代表的第三代半導體材料，相較前兩代產(chǎn)品性能優(yōu)勢顯著。我們認為在下游應用+能源安全+后摩爾時代三者推動下，第三代半導體將迎來大發(fā)展。(博眾投資)
碳化硅半導體市場規(guī)模
全球射頻和功率氮化鎵器件快速增長，市場空間廣闊。目前全球氮化鎵器件的主要分類為光電氮化鎵器件、射頻(RF)氮化鎵器件和功率氮化鎵器件。根據(jù)MarketandMarket的數(shù)據(jù)，全球光電氮化鎵器件占比最高，達到65.22%，其次為射頻器件和功率器件。近年來隨著第三代半導體技術的逐漸成熟，氮化鎵器件也正向著主流接受在越來越多的射頻器件、功率開關和轉(zhuǎn)換應用?；贕aN的IC可以滿足提高系統(tǒng)性能和效率、節(jié)省空間和在更高溫度下可靠運行的需求。根據(jù)Yole預測，氮化鎵RF器件市場規(guī)模將從2019年的9億美元增長到2024年的24億美元，復合增速達到21%，氮化鎵功率器件市場規(guī)模將從2019年的5.3億美金增長到2024年18億美金，復合增速29%。
氮化鎵市場規(guī)模
碳化硅市場目前主要被海外企業(yè)占據(jù)，國內(nèi)企業(yè)份額較小。碳化硅產(chǎn)業(yè)中襯底是技術壁壘最高的環(huán)節(jié)，襯底和外延目前在碳化硅中價值量占比約60%。根據(jù)YoleDevelopment數(shù)據(jù)，2020年上半年美國Cree公司碳化硅襯底市占率達到45%，其次為日本的羅姆和美國的II-VI，國內(nèi)龍頭山東天岳、天科合達合計市場份額不到10%。國內(nèi)外差距還最體現(xiàn)在尺寸方面，目前全球主流尺寸是6英寸，Cree已經(jīng)研制出8英寸，但國內(nèi)還以4英寸為主，6英寸還僅是小批量供應。在碳化硅器件方面，國外MOSFET已實現(xiàn)大批量出貨，國內(nèi)目前主要產(chǎn)品還是集中在二極管等領域，MOSFET還沒有能夠大規(guī)模出貨。從器件全球市占率看，美國Cree、日本羅姆、三菱、歐洲英飛凌、意法半導體等巨頭占據(jù)主要份額。(博眾投資)
博眾投資發(fā)現(xiàn)，全球氮化鎵市場被國外企業(yè)壟斷，CR3高達84%。其中，日本住友集團為全球第一大氮化鎵廠商，市場占比為40%;來自美國的CREE及Qorvo緊隨其后，分別占比24%和20%。中國企業(yè)在此領域處于起步階段，國產(chǎn)替代空間巨大。國內(nèi)從事氮化鎵單晶生長的企業(yè)，主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特等;從事氮化鎵外延片的國內(nèi)廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導體等;從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電等。
第三代半導體國內(nèi)外差距相對縮小，為國產(chǎn)替代提供機遇。第三代半導體目前處于發(fā)展初期，國內(nèi)企業(yè)和國際巨頭差距相對較小。中國擁有廣闊的第三代半導體應用市場，可以根據(jù)市場研發(fā)產(chǎn)品，改變以往集中于國產(chǎn)化替代的道路。同時第三代半導體的難點在于工藝，而工藝的開發(fā)具有偶然性，相比邏輯芯片難度降低。由于生產(chǎn)過程對設備要求較低，投資額較小，準入門檻低，對后來追趕者相對較為有利。建議關注全面布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈的國內(nèi)化合物半導體龍頭三安光電(600703.SH)，國內(nèi)SiC晶片供應商山東天岳、天科合達，砷化鎵、氮化鎵制造企業(yè)海威華芯，以及積極布局第三代半導體的功率半導體企業(yè)華潤微、斯達半導、比亞迪半導體、聞泰科技、士蘭微等。
【相關概念股】
聞泰科技
抓住新能源汽車機遇，半導體業(yè)務快速發(fā)展。汽車領域是公司半導體主要收入來源，公司產(chǎn)品廣泛應用在驅(qū)動系統(tǒng)、電源系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、智能座艙系統(tǒng)等體系。汽油車時代，全球汽車單車平均應用安世芯片達到300顆以上，電動車應用安世產(chǎn)品顆粒數(shù)預計將呈現(xiàn)數(shù)倍增長，應用產(chǎn)值也有望倍數(shù)級提升。公司半導體業(yè)務抓住新能源智能汽車持續(xù)放量，以及全球芯片緊缺的機遇，持續(xù)擴充和優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。
聞泰科技
士蘭微
公司2021上半年白電IPM模塊銷售達1800萬顆，持續(xù)引領國產(chǎn)替代;公司IGBT產(chǎn)品不斷拓展汽車和光伏領域客戶，有望實現(xiàn)高速增長;公司2021上半年MEMS銷售突破1.4億元，同比增加290%以上。公司紅光、紅外等化合物半導體芯片量產(chǎn)并導入大客戶，SiC功率器件中試線已通線。公司多類功率半導體產(chǎn)品、模擬類產(chǎn)品、MEMS產(chǎn)品具備強大競爭力，并持續(xù)推進第三代半導體產(chǎn)品開發(fā)。在充沛產(chǎn)能支持下，公司各類產(chǎn)品有望不斷提升市場份額，受益半導體國產(chǎn)替代加速，發(fā)展前景廣闊。(博眾投資)
士蘭微
溫馨提示
本文觀點由--陳泳智(執(zhí)業(yè)編號A0600620030001)編輯整理，不構(gòu)成投資建議，操作風險自負。根據(jù)《證券期貨投資者適當性管理辦法》相關規(guī)定，特此說明：博眾通過各渠道推出的相關文章僅面向廣東博眾證券投資咨詢有限公司的客戶群體，文章內(nèi)容不表明對相關產(chǎn)品或者服務的風險和收益做出實質(zhì)性判斷或者保證。若您并非博眾投資客戶群體，請勿接收或者使用公眾號任何信息。股市有風險，投資需謹慎!
《能源革命帶動第三代半導體快速發(fā)展》銀河證券;2021-11-15;
《第三代半導體：新能源汽車變革加速，長景氣供需共振》天風證券;2021-12-07;
博眾投資
（免責聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負責。本網(wǎng)站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。
任何單位或個人認為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權(quán)或存在不實內(nèi)容時，應及時向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細侵權(quán)或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關文章源頭核實，溝通刪除相關內(nèi)容或斷開相關鏈接。 ）
