在2020年11月份時(shí),美光公布完成176層3D NAND閃存芯片的研發(fā)及實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),也率先開創(chuàng)了業(yè)界閃存芯片3D閃存堆疊層數(shù)最高記錄。而在2021年年中開始,176層的閃存芯片實(shí)現(xiàn)小規(guī)模型號(hào)上實(shí)裝應(yīng)用,但應(yīng)用產(chǎn)品主要面向?qū)I(yè)級(jí)或服務(wù)器級(jí)平臺(tái)的SSD固態(tài)硬盤。
而今天我們?cè)u(píng)測(cè)室進(jìn)行評(píng)測(cè)的的美光旗下Crucial英睿達(dá)P5 Plus 1T固態(tài)硬盤,應(yīng)該算是美光自家第一款應(yīng)用176層3D閃存芯片的民用級(jí)SSD產(chǎn)品,下面就讓我們來看看這款SSD固態(tài)硬盤吧。
美光的176層3D閃存是什么?
在進(jìn)行對(duì)Crucial英睿達(dá)P5 Plus 1T固態(tài)硬盤評(píng)測(cè)前,我們還是要先說說美光研發(fā)的176層3D NAND閃存究竟有什么優(yōu)勢(shì)。在目前固態(tài)硬盤以及采用3D閃存芯片的設(shè)備之中,所采用的閃存芯片大多數(shù)為96層到128層的規(guī)格,而作為PC存儲(chǔ)設(shè)備的SSD固態(tài)硬盤多為使用128層的閃存芯片作為存儲(chǔ)芯片。
新一代的美光176層3D NAND閃存芯片單元結(jié)構(gòu)采用雙88 層堆棧構(gòu)成176層NAND,而上一代的128層芯片只是采用雙64層堆棧構(gòu)成設(shè)計(jì)。芯片的BEOL和CuA的互連觸點(diǎn)與128層采用了相關(guān)的布局規(guī)格,只是在芯片垂直通道VC孔的高度上增加到10.6μm,而3D NAND單元的尺寸保持在0.02μ㎡,而由于較小的柵極間距,單元單元體積略下降到1.12x 104μm³。
而這些在硬件上的技術(shù)革新賦予了美光176層3D NAND閃存芯片更強(qiáng)勁的性能支持,諸如可以實(shí)現(xiàn)更大的總讀寫量、更小的芯片尺寸、更低的能耗等。
英睿達(dá)P5 Plus 1T固態(tài)硬盤 開箱
英睿達(dá) P5 Plus,通過名字就可以知道是一款升級(jí)版本的型號(hào),是英睿達(dá)在SSD PCIe3.0時(shí)的旗艦型號(hào)P5的升級(jí)版本,并且也是一款采用PCIe 4.0x4接口的M.2尺寸規(guī)格固態(tài)硬盤。
英睿達(dá)P5 Plus外包裝設(shè)計(jì)以深藍(lán)色作為主色調(diào),Crucial英睿達(dá)的文字品牌LOGO以天藍(lán)色白色的色塊出呈現(xiàn),白色字體的“P5 Plus”型號(hào)名稱在深藍(lán)背景色上尤為顯著,再搭配上天藍(lán)色條、翠綠斜紋色條以及白色多層直線等裝飾元素,帶動(dòng)出速度感的視覺效果。
而包裝背面則是以多國(guó)語(yǔ)言來說明SSD固態(tài)硬盤的特色功能以及說明,當(dāng)然還有包含產(chǎn)品容量標(biāo)注以及信息二維碼的防偽標(biāo)簽。
英睿達(dá)P5 Plus系列的M.2 SSD分別有500GB、1TB以及2TB三個(gè)容量規(guī)格型號(hào),而我們?cè)u(píng)測(cè)室拿到手的是英睿達(dá)P5 Plus的1TB容量規(guī)格版本,而1TB也是目前不論是臺(tái)式電腦還是移動(dòng)筆記本電腦都相當(dāng)熱門且使用及需求人數(shù)相當(dāng)多的規(guī)格容量。
英睿達(dá)P5 Plus 1T采用標(biāo)準(zhǔn)的M.2 2280規(guī)格尺寸設(shè)計(jì),可以滿足目前大部分臺(tái)式電腦主板以及部分可提供M.2 2280尺寸安裝卡槽的筆記本電腦平臺(tái)的安裝使用。
和很多定位高端或旗艦級(jí)產(chǎn)品一樣,英睿達(dá)P5 Plus 1T在PCB基板上選用了全黑配色的PCB基板,由于采用的是單面元件布局設(shè)計(jì),增加了SSD平臺(tái)的適用性,不會(huì)有挑板挑平臺(tái)的麻煩,而且散熱性能也更出色。
焊接有元件的正面張貼印有英睿達(dá)英文品牌名稱以及系列名稱的導(dǎo)熱貼紙,而沒有元件的背面則是張貼有兩張帶規(guī)格參數(shù)及識(shí)別碼的隔熱貼紙,能非常清晰了解英睿達(dá)P5 Plus 1T固態(tài)硬盤的相關(guān)性能。
將覆蓋在SSD正面的導(dǎo)熱貼紙揭開就能看到整塊SSD的功能電路布局,和很多M.2硬盤布局相同,分為了主控芯片區(qū)域、緩存芯片區(qū)域以及閃存芯片區(qū)域三部分,布局整體,功能電路劃分清晰干凈,同時(shí)元件與基板的焊接效果也十分出色。
英睿達(dá)P5 Plus 1T的主控芯片采用的是美光自家的DM02A1主控芯片,支持PCIe4.0,并且為了提升主控芯片的散熱效率,還在芯片上加裝了金屬外殼提升散熱性能。此外,主控芯片還具有 NVMe 自主電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換 (APST) 和自適應(yīng)熱保護(hù)功能,可在 80 攝氏度或更高的溫度下啟動(dòng)以保護(hù)數(shù)據(jù)。
而在緩存區(qū)域采用了一枚1GB容量的LPDDR4 DRAM芯片,主控芯片通過這枚緩存芯片起到加速FTL的管理之用。
閃存芯片部分,就是使用了我們?cè)谖恼虑岸怂岬降?美光176層3D NAND閃存芯片,其額定速度可達(dá)到1600MTps,也是目前閃存市場(chǎng)中最快的NAND之一。通過搭載兩枚閃存芯片實(shí)現(xiàn)1TB的規(guī)格存儲(chǔ)容量,并且能提供理論6600MB/s的順序讀取和5000MB/s的順序?qū)懭胫С帧?/p>
英睿達(dá)Storage Executive控制軟件
除了良好的性能和耐用性外,P5 Plus還兼具具有全硬件加密、動(dòng)態(tài)寫入加速和自適應(yīng)熱保護(hù)等先進(jìn)功能,可在確保數(shù)據(jù)安全的同時(shí),增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。同時(shí)P5 Plus還提供了5年有限保修,以及Storage Executive 和免費(fèi)克隆軟件,方便我們查看&管理固態(tài)硬盤。
Storage Executive軟件中不但可以監(jiān)控SSD固態(tài)硬盤的多方面參數(shù)數(shù)據(jù)以及實(shí)施情況,還能升級(jí)固件以及數(shù)據(jù)還原和檢測(cè)等功能支持。
當(dāng)然如果你想了SSD狀況更為詳細(xì)數(shù)據(jù)的話,可以通過軟件中的S.M.A.R.T頁(yè)面進(jìn)行檢測(cè),里面可以為用戶提供非常詳細(xì)的SSD運(yùn)行狀況以及讀寫參數(shù)等內(nèi)容。
英睿達(dá)P5 Plus 1T固態(tài)硬盤 理論性能測(cè)試
本次測(cè)評(píng)所采用的測(cè)試平臺(tái),CPU為AMD Ryzen 9 5900X、內(nèi)存為DDR4-3600 8G*2套裝、主板為ROG C8E,系統(tǒng)盤則是采用了三星 980 1TB,這套配置是我們?cè)u(píng)測(cè)室里測(cè)試固態(tài)硬盤使用最比的測(cè)試機(jī)之一。另外測(cè)試盤為英睿達(dá)P5 Plus 1T,直接安裝到主板的M.2_1插槽中,利用C8E自帶的大型金屬散熱馬甲進(jìn)行散熱,保證固態(tài)硬盤運(yùn)行在最佳的狀態(tài)下。
測(cè)試前我們先來看看CrystalDiskInfo查看硬盤的信息,可看到英睿達(dá)P5 Plus 1T的固件版本為最新的P7CR403,實(shí)際傳輸模式為PCIe 4.0 x4,支持NVMe 1.4標(biāo)準(zhǔn),S.M.A.R.T、TRIM以及VolatileWriteCache功能,待機(jī)溫度為42度。由于是新寄到的產(chǎn)品,所以可看到主機(jī)的總讀取和總寫入量都是為0GB,通電時(shí)間也是0小時(shí)。
CrystalDiskMark性能測(cè)試
(空盤測(cè)試，1GB文件大小進(jìn)行測(cè)試)
(空盤測(cè)試，1GB文件大小進(jìn)行測(cè)試)
按照英睿達(dá)官方給出的性能指標(biāo),英睿達(dá)P5 Plus 1T固態(tài)硬盤的順序讀取速度為6600 MB/s,順序?qū)懭胨俣葹?000 MB/s;而根據(jù)我們利用CrystalDiskMark軟件實(shí)測(cè)得知,英睿達(dá)P5 Plus 1T實(shí)測(cè)順序讀取速度為6800 MB/s,實(shí)測(cè)順充寫入速度為 5100 MB/s,看來英睿達(dá)官方此款固態(tài)硬盤的標(biāo)稱速度還是較為保守了,實(shí)際上的必能表現(xiàn)明顯更高。從這樣的性能表現(xiàn)來看,英睿達(dá)P5 Plus絕對(duì)稱得上GEN4旗艦固態(tài)硬盤的一線水平。
TxBENCH基準(zhǔn)性能測(cè)試
(空盤測(cè)試)
TxBENCH基準(zhǔn)測(cè)試所得到的結(jié)果也和其他同類型測(cè)試結(jié)果相差不大,只是數(shù)據(jù)波動(dòng)會(huì)更明顯,如空盤狀態(tài)下的讀寫速度分別為6429.669MB/s和 4891.776MB/s
AS SSD基準(zhǔn)性能測(cè)試
1GB數(shù)據(jù)包測(cè)試:
10GB數(shù)據(jù)包測(cè)試:
在AS SSD基準(zhǔn)性能測(cè)試中,1GB與10GB兩個(gè)數(shù)據(jù)等級(jí)的測(cè)試中所得成績(jī)都相當(dāng)接近,順序的讀寫速度1GB分別為5507.98MB/s和4371.92MB/s;10GB分別為5546.95MB/s和458069MB/s,都是體現(xiàn)出相當(dāng)高效的讀寫性能,而4K多線程的測(cè)試?yán)锩?兩個(gè)數(shù)據(jù)測(cè)試的讀/寫IOPS分別是571718/673191和568621/679193,相差數(shù)值也在合理范圍內(nèi),體現(xiàn)出美光176層NAND 3D閃存芯片的高性能表現(xiàn)。
ezIOmeter測(cè)試:
而在ezIOmeter測(cè)試中,英睿達(dá)P5 Plus 1T的數(shù)據(jù)讀寫速度分別為6309.48和4816.42,其中極速狀態(tài)下,讀寫的速度分別能達(dá)到12624.49和9593.84。參照數(shù)據(jù)來看,性能可謂是相當(dāng)?shù)捏@人。
TxBENCH SLC測(cè)試
TxBENCH SLC測(cè)試為全盤測(cè)試,其性能曲線以及溫度曲線上的表現(xiàn)非常穩(wěn)定,特別是性能曲線部分可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間小波動(dòng)相對(duì)穩(wěn)定的性能支撐,也體現(xiàn)出英睿達(dá)P5 Plus固態(tài)硬盤具備不錯(cuò)的綜合性能。硬盤在寫入全滿負(fù)載的情況下,穩(wěn)定最高穩(wěn)定在58度,比一般的旗艦級(jí)固態(tài)硬盤滿載溫度都要低一些。
小結(jié):通過理論性能測(cè)試,我們可看到英睿達(dá)P5 Plus性能是相當(dāng)?shù)膬?yōu)秀,無論是順序讀取和寫入速度都遠(yuǎn)高于官方標(biāo)稱值,進(jìn)一步印證了英睿達(dá)P5 Plus固態(tài)硬盤主控和閃存顆粒的優(yōu)異表現(xiàn)。同時(shí)英睿達(dá)P5 Plus滿載溫度也是下較低的,這得益于主控優(yōu)秀的溫度控制,在GEN4旗艦級(jí)固態(tài)硬盤中也是較為少見的,這樣無論是用在臺(tái)式機(jī)、筆記本,還是在PS5上,其都可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間高傳輸速度的性能保證。
游戲性能測(cè)試測(cè)試
3DMark存儲(chǔ)測(cè)試:
游戲性能測(cè)試,我們直接選用了3DMARK內(nèi)建的測(cè)試程序,是能測(cè)試出不同游戲在此款固態(tài)硬盤上的加載速度和平均存取時(shí)間;同時(shí)還具備游戲錄制、安裝、保存和移動(dòng)游戲時(shí)不同游戲狀態(tài)的速度,這樣的測(cè)試程序可以很好的模擬出游戲用戶在真實(shí)使用中的情況。最終,英睿達(dá)P5 Plus 1T得分為3289,同時(shí)在模擬各種游戲加載、安裝、錄制、保存以及移動(dòng)游戲中,其平均帶寬可達(dá)567.44MB/s,平均存取時(shí)間為55μs,可以非常輕松地滿足現(xiàn)在各類游戲在運(yùn)行時(shí)的讀寫,并且在讀寫過程中所產(chǎn)生的延時(shí)也在合理范圍以內(nèi)。
PCmark10基準(zhǔn)測(cè)試:
而PCMark10的完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測(cè)試中,英睿達(dá)P5 Plus 1T固態(tài)硬盤的成績(jī)?yōu)?219,帶寬為514.09MB/s,平均存取時(shí)間52μs,在同類型的SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品里面,其成績(jī)以及帶寬和平均時(shí)間的表現(xiàn)力都處于前列,從一個(gè)側(cè)面也展現(xiàn)了英睿達(dá)P5 Plus 1T所具備的性能。
半盤測(cè)試
CrystalDiskMark性能測(cè)試我們通過之前的空盤以及半盤兩個(gè)狀態(tài)來進(jìn)行一下對(duì)比,在同為1GiB數(shù)據(jù)量級(jí)的測(cè)試中,空盤與半盤的讀取差異相當(dāng)小,英睿達(dá)P5 Plus固態(tài)硬盤空盤時(shí)為6801.72MB/s,半盤為6799.51MB/s,差異相當(dāng)?shù)男 ６鴮懭胄阅懿罹鄤t稍有偏大,空盤為5102.82MB/s,半盤為4585.83MB/s,相差差值為517MB/s,可看出即使是固態(tài)硬盤占用情況達(dá)到一半,英睿達(dá)P5 Plus的性能表現(xiàn)仍是相當(dāng)?shù)膬?yōu)異。
在半盤狀態(tài)是,讀寫速度分別為5926.120MB/s和4054.717MB/s,SSD不同存儲(chǔ)程度狀況時(shí)的速度能正確識(shí)別,且也體現(xiàn)了英睿達(dá)P5 Plus 1T自身的高速讀寫性能。
HD Tune Pro 半盤SLC測(cè)試:
同時(shí)我們?cè)賮砜纯丛诎氡P狀態(tài)下,英睿達(dá)P5 Plus固態(tài)硬盤讀取速度能保持著相當(dāng)不錯(cuò)的穩(wěn)定性,而寫入部分則在寫入80G后速度出現(xiàn)明顯的下降,但下降后其速度還能保持一個(gè)相對(duì)小波動(dòng)的穩(wěn)定狀態(tài),也就是說,英睿達(dá)P5 Plus采用的是動(dòng)態(tài)緩存的方案,即使是半盤情況下仍能為大家提供80GB的SLC空間,這對(duì)于日常大家使用過程中起到很好的作用,半盤情況下,即使是做視頻、玩游戲都不會(huì)出現(xiàn)掉速的情況。
評(píng)測(cè)總結(jié):
英睿達(dá)P5 Plus固態(tài)硬盤搭載了美光研發(fā)新推出的176層NAND 3D閃存芯片,同時(shí)也是美光旗下首款民用消費(fèi)級(jí)的PCIe4.0固態(tài)硬盤產(chǎn)品,而憑借176層NAND 3D閃存芯片和GEN4主控芯片的出色性能支持賦予了SSD不俗的性能基礎(chǔ),600TB耐用度與5年有限保修可以為大家解除NAND顆粒壽命的煩惱。
而英睿達(dá)P5 Plus固態(tài)硬盤通過實(shí)際測(cè)試所得的成績(jī)數(shù)據(jù)來看,整體的性能表現(xiàn)相當(dāng)好,處理旗艦級(jí)GEN4固態(tài)硬盤第一梯隊(duì)的水平。加之美光原廠進(jìn)行的特定性能優(yōu)化調(diào)教,無論是空盤測(cè)試還是半盤測(cè)試都可以有穩(wěn)定高速的表現(xiàn),在性能與穩(wěn)定度能維持一個(gè)小波動(dòng)均衡的狀態(tài),同時(shí)其溫度表現(xiàn)也相當(dāng)出色,是眾多旗艦產(chǎn)品中較少見到的。對(duì)于穩(wěn)定度和溫度控制有相當(dāng)高要求的用戶來說,英睿達(dá)P5 Plus是一個(gè)不錯(cuò)的產(chǎn)品選擇,十分適合游戲玩家、游戲本用戶,以及視頻UP主。(文章來源：太平洋電腦網(wǎng))
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