本文由博眾投資編輯整理。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游中的重要組成部分。半導(dǎo)體材料分為制造材料和封裝材料，其中制造材料主要是制造硅晶圓半導(dǎo)體、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)等化合物半導(dǎo)體的芯片過程中所需的各類材料，在集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)制造中起到關(guān)鍵性的作用。半導(dǎo)體制造材料包括硅材料和砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物半導(dǎo)體材料。(博眾投資)
硅襯底占據(jù)主要市場，三代半導(dǎo)體有望掀起底層材料端革命。硅(Si)是目前技術(shù)最成熟、使用范圍最廣、市場占比最大的襯底材料，近年來硅材料的潛力已經(jīng)開發(fā)殆盡，在高壓、高頻、高溫領(lǐng)域以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體襯底材料市場規(guī)模有望迎來快速發(fā)展。
全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模整體呈增長趨勢，中國大陸成為全球第二大半導(dǎo)體材料市場。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2015年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模433億美元，2020年達到553億美元，年復(fù)合增速達5.01%，其中晶圓制造材料復(fù)合增速達7.78%。2021年全球半導(dǎo)體材料市場預(yù)計可達到565億美元，同比增長4.82%，繼續(xù)保持增長趨勢。分地域看，2020年中國臺灣地區(qū)半導(dǎo)體材料市場規(guī)模為123.8億美元，繼續(xù)位居全球第一，中國大陸市場規(guī)模超過韓國達97.63億美元，躍居全球第二，其次是韓國市場，規(guī)模為92.31億美元，前三占比合計超總市場規(guī)模的一半。(博眾投資)
中國大陸半導(dǎo)體材料市場規(guī)模增速遠超全球平均水平。2020年，中國大陸半導(dǎo)體材料市場規(guī)模全球占比為17.65%，相較2016年上升了7.65個百分點，僅次于中國臺灣(22.39%)位列全國第二?；赝?009-2019年全球半導(dǎo)體材料銷售額，中國大陸半導(dǎo)體材料銷售額從32.70億美元增長至86.90億美元，年復(fù)合增長率為10.27%，同比增速整體高于全球。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2020年中國大陸市場規(guī)模同比增速達12%，高出全球增速7.1個百分點，市場增長勢頭強勁;預(yù)計2021年將達到104億美元，同比增長6.52%。增速有所放緩。
半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化率較低，國產(chǎn)替代空間廣闊。半導(dǎo)體芯片制造工藝的發(fā)展整體遵循摩爾定律，意味著技術(shù)節(jié)點將不斷向更小的線寬靠攏，而半導(dǎo)體材料能否配合先進制程進行相應(yīng)的技術(shù)迭代，決定了摩爾定律能否繼續(xù)推進。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)不同半導(dǎo)體制造材料技術(shù)進度不一，其中硅材料和光刻膠技術(shù)節(jié)點分別只達到0.25um和0.13um，光掩膜、拋光材料和靶材則已達到28nm的技術(shù)節(jié)點，并有望向14nm進一步發(fā)展，而工藝化學(xué)品還未實現(xiàn)0.25um的技術(shù)節(jié)點。就整體來看，國內(nèi)與國外在半導(dǎo)體制造材料方面技術(shù)差距較大，存在廣闊的國產(chǎn)替代空間。(博眾投資)
2022-2023年新增產(chǎn)能將迎來集中釋放，屬于后周期的半導(dǎo)體材料將迎來爆發(fā)。在半導(dǎo)體整個生產(chǎn)周期中，半導(dǎo)體材料雖處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，但從晶圓廠擴產(chǎn)角度看，半導(dǎo)體材料采購是在晶圓廠建設(shè)完工并下達訂單后開始進行，因此半導(dǎo)體材料屬于半導(dǎo)體周期偏后的環(huán)節(jié)。本輪半導(dǎo)體缺貨爆發(fā)于2020年下半年，考慮到疫情導(dǎo)致的建設(shè)施工延誤，實際晶圓廠大幅擴產(chǎn)主要從2020年底開始，晶圓廠的建設(shè)周期大約需耗時1-2年，我們認為2022-2023年新增產(chǎn)能將迎來集中釋放，相應(yīng)有望拉動半導(dǎo)體材料需求爆發(fā)增長。
SiC和GaN產(chǎn)業(yè)鏈會有一些優(yōu)質(zhì)的新公司進入，但原來的傳統(tǒng)功率器件、射頻器件、LED芯片公司也都會是三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要玩家，并充分受益于這一波十年以上的產(chǎn)業(yè)趨勢。
SiC產(chǎn)業(yè)鏈建議關(guān)注：
1)國內(nèi)IGBT龍頭順勢切入SIC領(lǐng)域;2)傳統(tǒng)功率器件往SiC器件升級切入;3)布局SiC設(shè)備和材料;4)SiC襯底領(lǐng)域。
GaN產(chǎn)業(yè)鏈建議關(guān)注：
1)傳統(tǒng)功率器件往GaN器件升級切入;2)軍工電子和射頻領(lǐng)域具備技術(shù)積累和客戶儲備的公司;3)布局SIC設(shè)備和材料;(博眾投資)
參考資料：
《第三代半導(dǎo)體行業(yè)報告(一)：行業(yè)解析：千億級黃金賽道，中國“芯”蓄勢待發(fā)》華安證券;2022-05-25;《電子行業(yè)動態(tài)月報：關(guān)注第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資機會》中國銀河證券;2022-08-08;
溫馨提示
本文觀點由--蔡永嘉(執(zhí)業(yè)編號A0600622020001)編輯整理，不構(gòu)成投資建議，操作風(fēng)險自負。股市有風(fēng)險，投資需謹慎!
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