8月10日， 三星半導體在本次第五屆OCP China Day 2023(開放計算中國技術峰會)上分享了兩大應對內存墻限制的創(chuàng)新技術解決方案和開放協(xié)作的業(yè)務戰(zhàn)略。三星電子副總裁，半導體事業(yè)軟件開發(fā)團隊負責人張實完(Silwan Chang)發(fā)表了"擴大開放協(xié)作，迎接高效大數(shù)據時代"的主題演講。他表示："當前內存技術的發(fā)展正面臨內存墻限制的挑戰(zhàn)。我們的首要解決方案是引入主動存儲(Active Memory)建立全新內存層次結構，其次是發(fā)展以數(shù)據為中心的計算技術。"
三星電子副總裁，半導體事業(yè)軟件開發(fā)團隊負責人張實完(Silwan Chang)發(fā)表主題演講
三星半導體在峰會上介紹了面向人工智能和機器學習而研發(fā)的創(chuàng)新技術，能夠有效突破內存墻限制的存儲解決方案，例如面向高性能計算優(yōu)化的高帶寬存儲"HBM3 Icebolt"，它能夠在處理器旁提供高速性能和大容量內存，具有高達819GB/s的性能和24GB的內存容量;以及可以增加內存容量，提高能效的內存解決方案"CXL存儲擴展器(CXL Memory Expander)"，和同樣基于CXL協(xié)議，能夠在內存和存儲之間高效遷移數(shù)據的"存儲器-語義固態(tài)硬盤(Memory-Semantic SSD)"。這些技術的發(fā)展為開發(fā)千兆級大容量存儲解決方案奠定了基礎。
三星半導體在OCP China Day 2023現(xiàn)場展臺
去年，三星推出了全球其首款用于服務器PCIe 5.0的固態(tài)硬盤PM1743。該硬盤不僅將能效提高了一倍，還采用了自有的多租戶技術。峰會上，三星表示PM1743預計將在今年部署到需要超高性能的生成式人工智能應用中。
隨后，三星特別介紹了通過OCP首次在中國公開展示的超高性能PCIe 5.0數(shù)據中心專用SSD——PM9D3a。它采用了三星先進的控制器、軟件和系統(tǒng)技術，最大的優(yōu)勢在于PM9D3a是一款能提供每TB 50KIOPS隨機寫入性能(最大8TB)的8通道產品。與上一代產品相比，隨機性能提高了1.8倍，能效提高了1.6倍。另外，PM9D3a能夠在高溫高濕環(huán)境下依舊保持可靠性，在多種數(shù)據中心環(huán)境中提供穩(wěn)定的解決方案。PM9D3a還采用了SPDM(安全協(xié)議和數(shù)據模型)功能來保護設備上的信息，加強了保密性和完整性的認證。目前，PM9D3a已完成開發(fā)工作，預計于明年上半年將推出多種形態(tài)的產品以滿足客戶的需求。
同時，三星還分享了新的千兆級超高容量閃存解決方案"PBSSD"，它將三星最新的V-NAND技術與各種內存/存儲設備相結合，提供高性能、大容量和高能效的存儲，可以有效地幫助數(shù)據中心存儲資源，降本增效。
三星半導體表示，通過千兆級閃存解決方案(PBSSD)，和存儲擴展器等主動存儲解決方案，系統(tǒng)性能可以獲得有效提升。
三星半導體技術人員正在進行現(xiàn)場產品講解
為克服技術挑戰(zhàn)，三星半導體相信開放創(chuàng)新是其有效的方法之一。為此，三星將在存儲器研究中心(SMRC)內建立OCP體驗中心。作為與合作伙伴、OCP成員和學術界利益相關者合作共創(chuàng)的平臺，成員們可以在體驗中心共同解決技術難題并進一步推動開源開發(fā)，實現(xiàn)更多技術創(chuàng)新。
實際上，"內存墻"并不是三星面臨的唯一挑戰(zhàn)，以更快的速度處理數(shù)據需要大量的功耗，這將不可避免地導致大量碳排放。為實現(xiàn)2050年碳中和的目標，三星開發(fā)并應用了生命周期評估(LCA)流程來計算和檢測所有產品的碳排放量，以減少產品生命周期和半導體供應鏈中對環(huán)境的影響。三星還加入IMEC的可持續(xù)半導體技術和系統(tǒng)(SSTS)計劃，通過合作創(chuàng)建一個可持續(xù)的半導體生態(tài)系統(tǒng)和開發(fā)計算碳排放技術，實現(xiàn)保護環(huán)境和可持續(xù)發(fā)展的最終目標。
最后，三星電子副總裁張實完(Silwan Chang)表示，"作為致力于內存技術發(fā)展的公司，我們將繼續(xù)在中國市場推動OCP開放式創(chuàng)新。這將成為推動技術發(fā)展、突破內存墻等限制的重要動力。通過開放合作，我們將攜手到達新的高度。"
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