3月25消息，據(jù)國外媒體報道，SK海力士是全球重要的存儲芯片制造商，他們在去年10月份同英特爾達(dá)成了協(xié)議，將以90億美元收購英特爾大部分的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)，收購之后就將超過日本的Kioxia，成為僅次于三星的全球第二大NAND閃存制造商，并會縮小與三星的差距。
除了通過收購擴(kuò)大規(guī)模、獲得知識產(chǎn)權(quán)及研發(fā)人員，SK海力士也在致力于研發(fā)更先進(jìn)的DRAM和NAND產(chǎn)品。
韓國媒體的報道顯示，在2021年IEEE（電氣電子工程師學(xué)會）國際可靠性物理研討會上發(fā)表演講時，SK海力士CEO李錫熙（Lee Seok-Hee）就表示，在未來十年，他們將致力于克服材料、結(jié)構(gòu)和可靠性方面的挑戰(zhàn)，開發(fā)10nm以下工藝的DRAM和600堆疊層的NAND。
在報道中，韓國媒體表示，研發(fā)10nm以下工藝的DRAM，要求SK海力士等半導(dǎo)體廠商，克服光刻技術(shù)方面的挑戰(zhàn)。
在NAND方面，SK海力士已經(jīng)研發(fā)出了176層堆疊的3D NAND。
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