iPhone6 Plus存缺陷恐將召回

據韓國媒體報道，蘋果最新的iPhone6和iPhone6 Plus智能手機被發(fā)現有功能缺陷，11月2日一些海外IT新聞網站報道，有些iPhone6和iPhone6 Plus的數據存儲有問題。

Business Insider在10月24日報道，一些128GB版iPhone6 Plus用戶有功能缺陷，當用戶在不同應用之間切換或者查看通知時，據說手機會莫名其妙地死機或進入重啟怪圈。Apple Insider在10月23日也報道，一些iPhone6 Plus機主已經更換4部手機，蘋果最新的iOS 8.1升級沒有修復這些缺陷。

業(yè)內人士指出，考慮到技術缺陷主要存在于128GB版iPhone6 Plus，問題有可能出現在三階儲存單元（TLC）NAND閃存的控制器集成電路。TLC閃存屬于固態(tài)NAND閃存，每個閃媒單元可存儲3位數據，相比存儲1位數據的單階存儲單元（SLC）能多存儲2倍的數據，也高于存儲2位數據的多階存儲單元（MLC）固態(tài)閃存。

此外，TLC閃存更廉價，但在讀取和寫入數據方面，TLC比SLC和MLC慢。據報道，為了節(jié)約成本蘋果在128GB版iPhone6 Plus和其他一些型號上使用了TLC閃存。以前，TLC閃存被用于部分iPad平板電腦，而多數iPhone系列使用更昂貴但更穩(wěn)定的MLC閃存。

網上很多報道顯示，讀取性能差的三星SSD840和840EVO使用了TLC閃存，因此控制器集成電路的問題被認為是導致缺陷的最可能原因。隨著對SSD840和840EVO爭議的上升，三星不得不升級了固件。業(yè)內人士認為，如果TLC閃存是蘋果手機缺陷的原因，蘋果應該召回所有產品。

生成海報

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