3月26日消息，作為半導體制造與先進晶圓級封裝領域中領先的設備供應商，盛美半導體設備近日宣布，為其不斷發(fā)展的300mm Ultra Fn立式爐干法工藝設備產(chǎn)品系列，增加了以下半導體制造工藝：非摻雜的多晶硅沉積、摻雜的多晶硅沉積、柵極氧化物沉積、高溫氧化和高溫退火。盛美將于3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉行的SEMICON China 2021的3659號展位上展示這些技術。
盛美先前已發(fā)布了應用于氧化物、氮化硅（SiN）低壓化學氣相沉積（LPCVD）和合金退火工藝功能的立式爐系統(tǒng)，基于該可配置的立式爐平臺，盛美開發(fā)了上述新功能。支持這些新應用的立式爐設備現(xiàn)已交付或預計陸續(xù)于2021年上半年內(nèi)交付到客戶端。
“我們的戰(zhàn)略始終是找到半導體制造行業(yè)中具有高增長潛力的市場和應用，并且與我們的客戶合作，開發(fā)出先進技術來解決這些問題。”盛美半導體設備董事長王暉表示：“現(xiàn)在，我們能夠進行80％以上的批式熱工藝，包括用于SiN，HTO的LPCVD工藝，非摻雜多晶硅和摻雜多晶硅沉積，柵極氧化物沉積工藝，高達1200攝氏度的超高溫氧化和退火工藝。這一新產(chǎn)品線的迅速導入，也進一步證明了我們與核心客戶合作戰(zhàn)略的成功。"
隨著半導體器件體積的不斷縮小和復雜度的增加，Ultra Fn系統(tǒng)的設計始終是為了尋求滿足客戶需求的最佳解決方案。當今的器件設計的高復雜度、微小幾何尺寸，對熱工藝的溫度控制的均一性與穩(wěn)定性提出了高要求，這對晶圓良率至關重要。為了滿足這些要求，Ultra Fn加熱器開發(fā)了獨有的控制算法，使該平臺具有穩(wěn)定的溫度控制性能。
盛美對其可靈活配置的Ultra Fn設備進行了功能擴展，僅對部分模塊和布局進行了一些更改即可適用于這些新工藝應用。該可配置的系統(tǒng)設計，與盛美現(xiàn)有的氧化物、氮化物沉積系統(tǒng)大部分硬件可通用，從而降低了總成本。該系統(tǒng)可便捷地更換組件，以實現(xiàn)不同客戶的定制化工藝需求。
盛美的第一臺SiN LPCVD已于2020年初交付給一家重要的邏輯制造客戶，并在該工廠進行了大規(guī)模量產(chǎn)驗證。同時，另一臺微托級超高真空功能的合金退火工藝立式爐設備已于2020年底交付給一家功率器件制造客戶，并已完成生產(chǎn)能力的驗證。而此次發(fā)布的其他新功能的設備也陸續(xù)開始在客戶端進行測試，預計在2021年內(nèi)取得驗證結果。
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