東芝推出具有更低導通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET

5月18日消息，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)定的保護電路來減少充放電時產(chǎn)生的熱量，以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，同時要求MOSFET小巧纖薄，且具有更低的導通電阻。

SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝，已經(jīng)發(fā)布的SSM10N954L也采用該技術。憑借業(yè)界領先的低導通電阻特性實現(xiàn)了低功耗，而業(yè)界領先的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外，新產(chǎn)品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。

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