ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC

　　※截至2019年4月18日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)、街燈等工業(yè)設(shè)備,開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1)的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。

近年來,隨著節(jié)能意識的提高,在交流400V工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,相比現(xiàn)有的Si功率半導(dǎo)體,可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣。而另一方面,在工業(yè)設(shè)備中,除了主電源電路之外,還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源,輔助電源中廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較大的IGBT,在節(jié)能方面存在很大課題。

ROHM針對這些挑戰(zhàn),于2015年推出全球首款用來驅(qū)動高耐壓、低損耗SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC,并一直致力于開發(fā)充分發(fā)揮SiC功率半導(dǎo)體性能的IC,在行業(yè)中處于領(lǐng)先地位。此次又開發(fā)出全球首款※內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,將大大促進(jìn)采用SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器在工業(yè)領(lǐng)域的普及。

“BM2SCQ12xT-LBZ”是世界首款內(nèi)置節(jié)能性能極其優(yōu)異的SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,消除了分立結(jié)構(gòu)帶來的設(shè)計(jì)課題,從而可非常容易地開發(fā)出節(jié)能型AC/DC轉(zhuǎn)換器。專為工業(yè)設(shè)備的輔助電源*3)用而優(yōu)化的控制電路和SiC MOSFET一體化封裝,使得新產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比具有諸多優(yōu)勢,部件數(shù)量顯著減少(將12種產(chǎn)品和散熱板縮減為1個產(chǎn)品),部件故障風(fēng)險降低,引進(jìn)SiC MOSFET相應(yīng)的開發(fā)周期減少等,一舉解決了諸多課題。與ROHM以往產(chǎn)品相比,功率轉(zhuǎn)換效率提高達(dá)5%(按功率損耗計(jì)算,削減28%)。因此,本產(chǎn)品非常有助于工業(yè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)顯著小型化、高可靠性和節(jié)能化。

本產(chǎn)品已于2019年1月開始出售樣品(樣品價格2,500日元/個,不含稅),計(jì)劃于2019年5月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外,本產(chǎn)品和預(yù)計(jì)今夏開始銷售的評估板將于2019年4月17日~19日在日本幕張國際會展中心舉行的“TECHNO-FRONTIER 2019”上展出。

未來,ROHM將繼續(xù)開發(fā)SiC元器件等功率半導(dǎo)體*4)和用來控制功率半導(dǎo)體的IC,并不斷優(yōu)化這些產(chǎn)品,為工業(yè)設(shè)備的節(jié)能化和系統(tǒng)優(yōu)化貢獻(xiàn)力量。

<新產(chǎn)品特點(diǎn)>

新產(chǎn)品“BM2SCQ12xT-LBZ”采用專為內(nèi)置SiC MOSFET而開發(fā)的專用封裝,并集成了專為工業(yè)設(shè)備的輔助電源而優(yōu)化的SiC MOSFET驅(qū)動用柵極驅(qū)動電路等控制電路和1700V耐壓SiC MOSFET。

作為全球首創(chuàng)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,本產(chǎn)品具有以下特點(diǎn),非常有助于AC400V級工業(yè)設(shè)備的小型化、節(jié)能化以及實(shí)現(xiàn)更高可靠性,從而有助于推動采用SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器的順利普及。

1.將散熱板和多達(dá)12種產(chǎn)品一體化封裝,在小型化方面具有壓倒性優(yōu)勢

本產(chǎn)品采用一體化封裝,相比采用Si-MOSFET的普通分立結(jié)構(gòu),部件數(shù)量顯著減少,1個封裝內(nèi)包含多達(dá)12種產(chǎn)品(AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC、800V耐壓Si-MOSFET×2、齊納二極管×3、電阻器×6)和散熱板。另外,由于SiC MOSFET具有高耐壓、抗干擾性能優(yōu)異的特點(diǎn),還可實(shí)現(xiàn)降噪部件的小型化。

2.減少開發(fā)周期和風(fēng)險,內(nèi)置保護(hù)功能,可靠性更高

采用一體化封裝,可減少鉗位電路和驅(qū)動電路的部件選型及可靠性評估的工時,可降低部件故障風(fēng)險,可縮減引進(jìn)SiC MOSFET時的開發(fā)周期,一舉多得。另外,除了通過內(nèi)置SiC MOSFET而實(shí)現(xiàn)的高精度過熱保護(hù)(Thermal Shutdown)功能外,還配備了過負(fù)載保護(hù)(FB OLP)、電源電壓引腳的過電壓保護(hù)(VCC OVP)、過電流保護(hù)、二次側(cè)電壓的過電壓保護(hù)功能。進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動的工業(yè)設(shè)備電源所需的豐富保護(hù)功能齊備,非常有助于提高可靠性。

3.激發(fā)出SiC MOSFET的性能,節(jié)能效果顯著

本產(chǎn)品中搭載的非常適合SiC MOSFET驅(qū)動用的柵極驅(qū)動電路,通過充分發(fā)揮SiC MOSFET的實(shí)力,與采用Si-MOSFET的普通產(chǎn)品相比,效率提升高達(dá)5%(截至2018年4月ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))。另外,本產(chǎn)品的控制電路采用準(zhǔn)諧振方式,與普通的PWM方式相比,運(yùn)行噪聲低、效率高,盡可能降低對工業(yè)設(shè)備的噪聲影響。

<采用SiC MOSFET的好處>

在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢。基于這些優(yōu)勢,當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等中時,可帶來更高的功率轉(zhuǎn)換效率、散熱器件的小型化、高頻工作使線圈更小等好處,具有更節(jié)能、部件數(shù)量更少、安裝面積更小等效果。

<新產(chǎn)品陣容>

<應(yīng)用示例>

非常適用于

◇通用逆變器◇AC伺服◇PLC(Programmable Logic Controller)

◇制造裝置◇機(jī)器人◇工業(yè)用空調(diào)◇工業(yè)用照明(街燈等)等、交流400V規(guī)格的各種工業(yè)設(shè)備的輔助電源電路。

<網(wǎng)售信息>

網(wǎng)售開始時間: 2019年4月18日起

網(wǎng)售平臺:AMEYA360、Right IC、SEKORM

評估板預(yù)計(jì)將于2019年夏季開始發(fā)售。

<術(shù)語解說>

*1) SiC(Silicon Carbide,碳化硅)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

SiC是Si(硅)和C(碳)的化合物。用作半導(dǎo)體材料時,因有望實(shí)現(xiàn)超越Si半導(dǎo)體極限的特性而備受矚目。MOSFET是基本半導(dǎo)體元器件-晶體管的一種(結(jié)構(gòu))。它是通過從外部施加電壓來控制元器件的ON/OFF或電流流動的開關(guān)設(shè)備。

*2) AC/DC轉(zhuǎn)換器

電源的一種,將交流(AC)電壓轉(zhuǎn)換為直流(DC)電壓。一般插座中是交流電,而電子設(shè)備是直流電工作,因此,是連接插座的電子設(shè)備必須的元器件。

*3) 輔助電源

在大功率工業(yè)設(shè)備中,包括使電機(jī)等(主機(jī))運(yùn)行的主電源電路,也包括為控制IC及LED指示燈亮等(輔助)提供電源電壓的輔助電源電路,將這種電源電路稱為“輔助電源”。

*4) 功率半導(dǎo)體

用來根據(jù)用途轉(zhuǎn)換電壓和電流的半導(dǎo)體,其性能直接關(guān)系到系統(tǒng)和設(shè)備的功率效率。要求支持高耐壓、大電流。

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