GaN圈“掃地僧”譽鴻錦：身藏寶藏，初現鋒芒

10月13日，譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。

借此，我們注意到這家一亮相便驚艷四座的GaN賽道的“掃地僧”——在氮化鎵行業(yè)長期耕耘、專注專精、做深做細、低調沉潛的形象，恰如金庸筆下武功深不可測而又難掩鋒芒的無名僧人。

隨著下游市場需求爆發(fā)，第三代半導體逐漸駛進黃金賽道，譽鴻錦半導體入場GaN賽道便帶著一份令人驚嘆的成績單：“僅用1.5年時間從建廠到中試線穩(wěn)定產能達到1.5萬片；7天完成外延至成品器件的周期；量產平均良率達到85%；研發(fā)周期和建線成本較行業(yè)減少2/3...”

那么，譽鴻錦是如何在如此短的時間內，就實現了高效、超高良率、低成本的氮化鎵國產化建設？讓我們一起探究這家國產GaN賽道“掃地僧”背后的故事和產業(yè)抱負。

譽鴻錦董事長閆懷寶

為解氮化鎵普及率低

譽鴻錦發(fā)起一場“產業(yè)效率革命”

正視現狀讓人清醒。

第三代化合物半導體前景廣闊，為霞尚滿天。然而，其市場普及率仍然非常低，與硅基器件相比存在數量級差距。

從材料成本來說，氮化鎵（GaN）器件并不比硅基器件昂貴。譽鴻錦分析了氮化鎵滲透率依然低的原因：并不是很多人所認為的氮化鎵器件規(guī)模仍然不足，導致成本均攤困難。本質問題出現在產業(yè)效率上，只有把系統效率提升，才能用更低的成本推動器件的大規(guī)模應用。

曾幾何時，器件研發(fā)從流片、封測到驗證等環(huán)節(jié)要等數月甚至數年之久，空轉成本可達 2000 多萬元，如果將原本 1 年或 1 個月的研發(fā)生產周期流程壓縮到 7 天，對整個產業(yè)鏈意義不言而喻。

氮化鎵器件實現大規(guī)模應用的關鍵是“物美價廉”，便宜的前提是要大幅提高生產效率。

譽鴻錦半導體正是從這個角度開始解題，提出 “產業(yè)效率革命 = 高良率 x  IDM 整合 x 高研發(fā)效率 x 設備降本 x 快速應用驗證”，希望從產業(yè)鏈全維度來加速氮化鎵器件的降本，以及大規(guī)模應用普及。

無論是從 IDM 產線構建，還是量產節(jié)奏，以及供應周期來看，“高效” 是譽鴻錦現階段進入市場的核心競爭力之一。在目前月產 1.5 萬片的中試線之后，據譽鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷透露，目前譽鴻錦的月產能已經做到了國內實際上的產能第一，正在建設的二期線將會在今年年底封頂。二期線建成投產后，產能將會達到每月 25 萬片，屆時可能成為全球最大的氮化鎵 IDM 工廠。

譽鴻錦發(fā)起的這一場“產業(yè)效率革命”，是希望從產業(yè)鏈全維度來加速氮化鎵器件的降本。

登高而招，順風而呼，頗有產業(yè)戰(zhàn)略野心。

成本減少2/3

Super IDM產業(yè)集群新模式

據了解，譽鴻錦首創(chuàng)能夠讓氮化鎵實現產業(yè)效率革命的 Super IDM 產業(yè)集群生態(tài)模式：Super IDM產業(yè)集群 = 上游設備材料 + IDM +終端技術應用+ 零售服務生態(tài)鏈”，是包括設備&材料端、自主全流程IDM、銷售與技術服務體系群以及終端產品應用生態(tài)鏈的Super IDM產業(yè)集群概念。

譽鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷

憑借 85% 平均量產良率獲得高一致性器件，譽鴻錦實現了高集成度 IDM-7 天制造周期、高研發(fā)效率使時間縮短 2/3，自研設備和設備國產化使成本降低 2/3。

譽鴻錦董事長閆懷寶在發(fā)布會上自信地表示：“這在整個業(yè)界是基本上不可被復制的”，而量產速度，僅僅是冰山一角。

據了解，譽鴻錦擁有在行業(yè)里數量最多、工序最為齊全的設備產線。除此之外，譽鴻錦還具備正向的設備調試和組裝能力。譽鴻錦半導體在創(chuàng)立之初就組建了產業(yè)奠基人邵春林博士為首的的技術團隊?；贙now-How的正向研發(fā)能力，根據目標需求自由選擇甚至開拓新的技術路線，并實現快速制樣和驗證，提升氮化鎵良率；以及短時間內開發(fā)出國內先進的MOCVD設備。

Super IDM 產業(yè)集群的深度耦合，可以實現上游設備自主可控、成本下降，IDM環(huán)節(jié)極致效率，應用終端快速導入和批量驗證，從而實現推動氮化鎵產業(yè)快速普及的產業(yè)目標。

發(fā)布全功率段器件

繪就產業(yè)合作新“藍圖”

值得一提的是，譽鴻錦發(fā)布了從 100V-650V-900~1200V 的全功率段器件，能應用于多種電力電子領域。其中，譽鴻錦正式發(fā)布的行業(yè)首個氮化鎵SBD器件，以及900V藍寶石基氮化鎵晶圓的實物展示引起了行業(yè)的重點關注。

其中1200V/85mΩ的氮化鎵MOSFET在今年第四季度就可以送樣，并且1700V的氮化鎵器件也即將會推出。

與國際頭部友商相比，譽鴻錦的功率器件可以做到海外廠商價格的幾分之一。而且譽鴻錦的氮化鎵器件將以硅器件的價格為目標，推動氮化鎵對硅的加速替代。

目前，譽鴻錦實現了極低外延翹曲控制、均勻性的GaN層厚度以及精準可控的載流子調控等自主關鍵技術能力。具備在氮化鎵、硅、碳化硅和藍寶石襯底上外延生長氮化鎵材料的技術矩陣，以及功率電子、激光與顯示、射頻全產品能力。

譽鴻錦在終端產品生態(tài)鏈平臺上，已經具備儲能充電、電動出行、激光顯示應用等產品品牌。在現場簽約環(huán)節(jié)，譽鴻錦半導體與行業(yè)top的應用型大學“東莞理工”國際微電子學院就共建人才培養(yǎng)和產業(yè)共創(chuàng)平臺項目簽署了戰(zhàn)略合作協議。同時也同“大族激光”旗下的“大族機器人”簽署了氮化鎵電機研發(fā)與應用的產業(yè)合作戰(zhàn)略協議。

結語

GaN圈“掃地僧”譽鴻錦，已經造就了國產氮化鎵行業(yè)的一份驚喜——不知不覺，不可或缺。經由GaN產業(yè)鏈加碼布局，譽鴻錦半導體已蓄崛起之勢，有望成為國內首屈一指的集研發(fā)、制造、封測及銷售為一體的全產業(yè)鏈半導體整合設備生產模式企業(yè)，冀未來實現國有替代技術突圍。

譽鴻錦表示，他們希望憑借更好的器件良率和一致性，以更少更高的規(guī)格實現全場景需求和優(yōu)勢成本覆蓋，兼顧高性能和低成本的方式推動氮化鎵器件全面普及，以實現譽鴻錦“用氮化鎵半導體改變每個人的生活”的產業(yè)理想。

掃堂亮招者，起于三寸方圓，以就萬仞之深。期待默默投入，堅持長期主義的譽鴻錦亮出更多寶藏。

生成海報

免責聲明：本網站內容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網站出現的信息，均僅供參考。本網站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負責。本網站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。任何單位或個人認為本網站中的網頁或鏈接內容可能涉嫌侵犯其知識產權或存在不實內容時，應及時向本網站提出書面權利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯系相關文章源頭核實，溝通刪除相關內容或斷開相關鏈接。