根據(jù)市場研究公司Omdia最新的一份報告顯示，全球對DRAM生產(chǎn)設施的投資額預計將較上年同期減少13.3%，至178億美元；NAND閃存方面投資將達267億美元，降幅為5.8%。全球芯片制造商預計今年將削減對于生產(chǎn)設施的投資，就如2019年應對嚴重供應過剩的市場環(huán)境一般。
不過，Omdia也在報告中指出，2021年內存市場的投資額可能會回升，包括DRAM設施投資預計增長20.8%，至215億美元；NAND閃存投資增長6.2%，至283億美元。
對此，一位業(yè)內人士表示，“考慮到內存投資在下跌周期下跌，在上漲周期又回升，Omdia的預測似乎相當準確。”
與此同時，市場專家稱，芯片制造商正通過盡可能的減少投資，尋求削減庫存，進而提振內存價格。
The Elec指出，SK海力士在第一季度財報中表示，從去年開始削減資本支出方面仍保持不變； 三星電子在2020年1月宣布其2019年最后一個季度的業(yè)績時表達了類似的觀點，美光（Micron）也是如此。
不過值得一提的是，自新冠病毒爆發(fā)后，盡管市場對智能手機需求大大下滑，但受遠程教學、在線辦公趨勢的推動，用于云基礎設施的服務器內存需求實際上一直在增加，而這一趨勢正在推高存儲芯片的價格。
另外，韓國KB證券在5月6日發(fā)布的一份報告中指出，截至今年第二季度，DRAM需求預計將超過供應的20%。該報告補充稱，隨著經(jīng)濟發(fā)展進入第三季度，這一趨勢可能會繼續(xù)并擴大。這意味著，內存芯片價格有望繼續(xù)走高。
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