今日，三星宣布開發(fā)出新一代“8納米射頻（RF）工藝技術(shù)”，強(qiáng)化5G通信芯片的解決方案。該技術(shù)支持5G通信的多通道和多天線芯片設(shè)計(jì)，有望為5G通信提供“單芯片的解決方案（OneChip Solution）”。
據(jù)了解，三星的8納米射頻工藝技術(shù)是對(duì)目前已經(jīng)廣泛使用的包括28納米和14納米在內(nèi)的射頻相關(guān)解決方案的最新補(bǔ)充。自2017年以來，三星為高端智能手機(jī)出貨了超過5億顆移動(dòng)終端射頻芯片。
“通過卓越的創(chuàng)新和工藝制造，我們加強(qiáng)了我們的下一代無線通信產(chǎn)品。”三星電子代工技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)主管Hyung Jin Lee表示。“隨著5G毫米波的擴(kuò)展，對(duì)于那些在緊湊型移動(dòng)終端上尋求實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)電池壽命和出色信號(hào)質(zhì)量的客戶來說，三星8納米射頻將成為一個(gè)很好的解決方案。”
三星方面表示，三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道移動(dòng)性，同時(shí)最大限度地減少了寄生效應(yīng)。由于RFeFET的性能大幅提升，射頻芯片的晶體管總數(shù)和模擬/射頻塊的面積可以實(shí)現(xiàn)減小。與14納米射頻相比，由于采用RFeFET架構(gòu)創(chuàng)新，三星的8納米射頻工藝技術(shù)將功率效率提高了35%，而射頻芯片面積減少了35%。
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