地芯科技發(fā)布全球首款基于CMOS工藝的國產化多頻多模線性PA

5月18日消息（顏翊）今日上午，杭州地芯科技有限公司（以下簡稱：地芯科技）在上海發(fā)布了全球首款基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS PA——GC0643。

GC0643是一款4*4mm多模多頻功率放大器模塊（MMMB PAM），主要應用于3G/4G手持設備（包括手機及其他手持移動終端）以及Cat1.物聯(lián)網設備，支持多頻段多制式應用，還支持可編程MIPI控制。

據悉，CMOS工藝是集成電路中最為廣泛使用的工藝技術，具有高集成度、低成本、漏電流低、導熱性好、設計靈活等特性，但也存在擊穿電壓低、線性度差兩大先天性弊端，使其在射頻PA應用上面臨巨大的技術挑戰(zhàn)。地芯科技的創(chuàng)始團隊深耕線性CMOS PA技術十多年，在過往的經驗基礎上開拓創(chuàng)新，攻克了擊穿電壓低、線性度差兩大世界級工藝難題，在全球范圍內率先量產支持4G的線性CMOS PA，將使得CMOS 工藝的PA進入主流射頻前端市場成為可能。

那么地芯全新CMOS PA技術平臺有哪些特點？地芯科技從工藝、架構、設計等三方面進行創(chuàng)新，實現了GC0643的四大特性。其一是CMOS工藝路線的全新多模多頻PA設計思路；其二是創(chuàng)新型開關設計支持多頻多模單片集成；其三是兼顧先性與可靠性的設計；其四是低功耗、低成本、高集成度、高可靠性。

該產品可以應用于低功耗廣域物聯(lián)網（LP-WAN）設備、3G/4G手機或其他移動型手持設備、無線IoT模塊等，支持FDD LTE Bands 1,3/4,5,8；TDD LTE Bands 34,39,40,41；WCDMA Bands 1,2,3/4,5,8等頻段。

在3.4V的電源電壓下，在CMOS工藝難以企及的2.5G高頻段，該CMOS PA可輸出32dBm的飽和功率，效率接近50%；在LTE10M 12RB的調制方式下，-38dBc UTRA ACLR的線性功率可達27.5dBbm（MPR0），FOM值接近70，比肩GaAs工藝的線性PA。在4.5V的電源電壓下，Psat更是逼近34dBm，并在Psat下通過了VSWR 1:10的SOA可靠性測試。該設計成功攻克了CMOS PA可靠性和線性度的主要矛盾，預示了線性CMOS PA進入Psat為30-36dBm主流市場的可能性。

地芯科技CEO吳瑞礫表示，“Common-Source架構的CMOS PA和HBT的架構類似，其非線性實際上并非特別棘手到難以處理，主要問題在于無法承受太高的電源電壓。”他也指出，“CMOS工藝提供了豐富種類的器件，以及靈活的設計性，通過巧妙的電路設計，可以通過模擬和數字的方式補償晶體管本身的非線性。這也是CMOS PA設計最重要的課題之一。”

那么，為什么這家本土射頻芯片企業(yè)能夠率先攻克CMOS工藝難點，正式推出面向市場的模組產品？

據了解，杭州地芯科技有限公司成立于2018年，公司的核心研發(fā)團隊成員80%以上為碩士與博士學歷，具有10至20年的芯片研發(fā)與量產經驗，涵蓋系統(tǒng)、射頻、模擬、數字、算法。軟件、測試、應用、版圖等技術人才，具有完備的芯片研發(fā)與量產能力。公司團隊歷時三年，專攻研發(fā)，最終得以在同質化競爭中突出重圍。

作為國家高新技術企業(yè)、浙江省科技型中小企業(yè)，地芯科技致力于成為全球領先的5G無線通信、物聯(lián)網以及工業(yè)電子的高端模擬射頻芯片的設計者。

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