美國的圖謀暴露，臺積電和三星先后反悔，赴美設(shè)廠是個錯誤

日前韓媒報道指三星計劃將美國工廠的量產(chǎn)時間從2024年延遲到2025年，此前臺積電已做出了同樣的決定，顯然三星和臺積電這兩家被美國忽悠赴美設(shè)廠的芯片代工企業(yè)，在美國暴露了真面目之后調(diào)整了計劃，甚至不排除放棄在美國設(shè)廠。

兩年多前，美國給三星和臺積電又是施加大棒，又是給出芯片補(bǔ)貼的胡蘿卜，雙管齊下的情況下，三星和臺積電最終決定赴美設(shè)廠，其中臺積電在2022年底更是表示不僅在美國建設(shè)5納米工廠，還要投資400億美元建設(shè)3納米工廠。

不過隨著三星和臺積電在美國的工廠開建，美國開始逐漸暴露了它的真面目，那就是扶持美國本土的Intel，對三星和臺積電只不過是利用罷了，甚至還要獲取它們的商業(yè)和技術(shù)機(jī)密，進(jìn)而幫助Intel加速先進(jìn)工藝的研發(fā)，最終實(shí)現(xiàn)對三星和臺積電的趕超。

在芯片補(bǔ)貼方面，美國最終做出的決定是給三星13%的份額，給臺積電更只有10%的份額，隨后給出的芯片補(bǔ)貼細(xì)則還要求三星和臺積電共享技術(shù)機(jī)密和利潤，如此做就是變相要求它們連這點(diǎn)可憐的芯片補(bǔ)貼都要放棄，畢竟核心技術(shù)是一家企業(yè)的根本。

近期傳出的消息指ASML在美國的壓力下，決定將明年生產(chǎn)的10臺2納米光刻機(jī)之中的6臺優(yōu)先交給Intel，2納米光刻機(jī)對于研發(fā)3納米及以下工藝非常重要，臺積電和三星用現(xiàn)有的第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)3納米工藝就發(fā)現(xiàn)性能提升有限并且良率過低，得到更多2納米EUV光刻機(jī)的Intel也迅速表示將在2025年量產(chǎn)Intel 18A工藝，實(shí)現(xiàn)對臺積電和三星的趕超。

臺積電和三星對美國付出了真心，結(jié)果美國回報的不過是假意，根本目的還是壓制它們的先機(jī)工藝研發(fā)，進(jìn)而幫助Intel重奪全球芯片制造的領(lǐng)先技術(shù)優(yōu)勢，畢竟Intel才是真正的美國企業(yè)。

三星和臺積電赴美設(shè)廠后還遭遇了其他困難，那就是美國征地成本遠(yuǎn)超于預(yù)期，建筑工人、建設(shè)成本等也遠(yuǎn)超預(yù)期，這造成它們赴美設(shè)廠的投資成本大幅上升，而芯片補(bǔ)貼低得可憐乃至可能被放棄，讓它們感受到赴美設(shè)廠非常不劃算。

臺積電曾預(yù)計在美國制造芯片的成本上漲五成，然而跟隨臺積電赴美設(shè)廠的產(chǎn)業(yè)鏈人士指出美國生產(chǎn)芯片的成本最高可能達(dá)到中國臺灣的四倍，這就意味著它們在美國生產(chǎn)芯片后可能就是持續(xù)虧損的局面，事實(shí)上臺積電在1990年代曾在美國設(shè)廠，但是因?yàn)樘潛p嚴(yán)重而最終關(guān)閉了該工廠。

此外美國芯片對全球市場的影響力在下降，臺積電和三星赴美設(shè)廠的目的是為了爭取美國芯片的訂單，不過隨著中國的芯片進(jìn)口量減少，美國的芯片訂單因此下降，導(dǎo)致三星、聯(lián)電、力積電等在今年初就大舉降價一成以上爭取有限的訂單，這更讓臺積電和三星擔(dān)憂在美國建廠未必能取得美國芯片更多的訂單。

如此也就難怪三星和臺積電近期陸續(xù)表示將美國工廠的量產(chǎn)時間從2024年延遲到2025年了，這未嘗不是他們的緩兵之計，畢竟這一年多時間，他們同樣有可能以其他理由干脆放棄赴美設(shè)廠，可以說三星和臺積電其實(shí)已經(jīng)對赴美設(shè)廠后悔了，不過他們也不好自打嘴巴，于是來了個延遲量產(chǎn)的緩兵之計。

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